I PCB con base in ceramica sono un tipo speciale di circuiti stampati che utilizzano materiali ceramici come base e sono rivestiti con uno strato conduttivo metallico (solitamente rame o alluminio) sulla superficie. Vengono utilizzati principalmente per supportare componenti elettronici ad alta-potenza e ad alta-frequenza. Combinando l'eccellente conduttività termica, l'isolamento elettrico e la resistenza alle alte-temperature della ceramica con la buona conduttività elettrica dello strato metallico, i substrati ceramici sono diventati componenti fondamentali di apparecchiature elettroniche di fascia alta-come veicoli a nuova energia, inverter fotovoltaici, stazioni base 5G e moduli semiconduttori ad alta-potenza.
Le tipologie di substrati ceramici possono essere classificate secondo due prospettive principali: materiali e processi produttivi.
| Designatore | Codice | Numero di parte | Produttore | Quantità | |||
| C1, C4, C20, C182, C191 | NP0-0402-50 V-100 pF±5 % | 5 | 250 | 500 | |||
| C2, C92, C99, C100, C101, C102, C103, C104 | X5R-0402-50 V-220 nF+-10 % | 8 | 400 | ||||
| C3, C6, C7, C8, C11, C24, C25, C26, C27, C28, C30, C31, C34, C37, C47, C51, C52, C53, C54, C55, C68, C69, C70, C71, C79, C80, C84, C93, C94, C95, C96, C97, C98, C107, C108, C110, C112, C114, C115, C123, C124, C127, C130, C135, C138, C140, C142, C145, C152, C153, C154, C155, C156, C157, C158, C159, C160, C161, C166, C168, C171, C173, C181, C184, C185, C186, C187, C188, C189, C190 | X7R-0402-50 V-100 nF+-10 % | 70 | 3500 | 7000 | |||
| C5, C9, C10, C91 | X7R-0402-50 V-1 nF+-10 % | 4 | 200 | 400 | |||
| C21, C22, C23 | X7R-0402-25 V-1 µF+-10 % | GRM155R61E105KA12D | 3 | 450 | 300 | ||
| C29, C42 | X7R-0402-50 V-220 pF+-10 % | 2 | 300 | 800 | 200 | ||
| C32, C33, C35, C36 | X5R-0201-10 V-100 nF+-10% | 4 | 200 | 400 | -20% | ||
| C38, C39, C40, C41, C46, C56 | X7R-0402-6,3 V-1 µF+-10 % | 6 | 300 | 600 | |||
| C43, C44, C45, C63 | X5R-0805-6,3 V-47 µF±20 % | 4 | 200 | 400 | |||
| C48, C49, C50, C67 | X5R-0603-10 V-22 µF+-10 % | 4 | 200 | 400 | -20% | ||
| C57, C58, C59, C167 | NP0-0402-50 V-22 pF±5 % | 4 | 200 | 400 | |||
| C60, C61, C62, C64, C65, C66, C169, C170, C183 | X5R-0603-6,3 V-22 µF±20 % | 9 | 450 | 900 | |||
| C72, C73, C74, C172, C175 | X7R-0402-50 V-10 nF+-10 % | 5 | 250 | 500 | |||
| C75, C76, C77, C78 | X7R-1206-50 V-10 µF+-10 % | 4 | 200 | 400 | |||
| C81, C90 | X7R-0402-50 V-22 nF+-10 % | 2 | 300 | 200 | |||
| C82, C83, C163, C164, C178, C179 | X6S-0402-16 V-1 µF+-10 % | 6 | 300 | 600 | |||
| C85 | X5R-0402-6,3 V-4,7 µF+-20 % | 1 | 150 | 100 | |||
| C86 | NP0-0603-50 V-47 pF+-5 % | 1 | 150 | 100 | |||
| C87, C88, C89 | X7R-1210-10 V-47 µF+-10 % | 3 | 150 | 300 | |||
| C105, C106, C109, C111, C149, C150 | NP0-0402-50 V-33 pF±5 % | 6 | 300 | 600 | |||
| C113, C116, C117, C118, C119, C120, C121, C122, C125, C126, C128, C129, C131, C132, C133, C134, C136, C137, C139, C141, C143, C144, C146, C162, C165, C180 | X5R-0402-6,3 V-10 µF+-20 % | 26 | 1300 | 2600 | |||
| C147 | 10TPB220M | Panasonic | 1 | 100 | |||
| C148 | X5R-1210-16 V-100 µF±20 % | 1 | 50 | 100 | |||
| C151 | X7R-0805-16 V-2,2 µF+-10 % | 1 | 150 | 100 | |||
| C174 | X7R-1210-50 V-4,7 µF+-10 % | 1 | 50 | 100 | |||
| C176, C177 | EEEFK1H470XP | Panasonic | 2 | 200 | |||
| C192 | NP0-0402-50 V-220 pF+-5 % | 1 | 150 | 100 | |||
| DA1, DA2, DA3 | SGM2576YN5G/TR | SGMicro | 3 | 300 | |||
| DA4, DA5, DA6, DA10 | SY98003AQNC | Silergy | 4 | 400 | |||
| DA7, DA8 | LD39050PUR | STMicroelettronica | 2 | 200 | |||
| DA9 | MPQ4316GRE-AEC1 | MPS | 1 | 100 | |||
| DA11 | LM74800QDRRRQ1 | Strumenti texani | 1 | 100 | |||
| DA12 | SY8089AAC | Silergy | 1 | 100 | |||
| DA13 | LP5907MFX-1.2/NOPB | Strumenti texani | 1 | 100 | |||
| DD1 | 2N7001TDPWR | Strumenti texani | 1 | 100 | |||
| DD2 | FUSB302BMPX | Onsemi | 1 | 100 | |||
| DD3 | MCP2542FDT-H/MF | Tecnologia dei microchip | 1 | 100 | |||
| DD4 | XS9922B | Chipup | 1 | 100 | |||
| DD6 | MS1836S | Macrosilicio | 1 | 100 | |||
| DD7 | PCA9617ADPJ | Nexperia | 1 | 100 | |||
| FB1, FB14 | BLM18PG121SN1D | Murata | 2 | 100 | 200 | ||
| FB2, FB3 | BLM18KG121TN1 | Murata | 2 | 100 | 200 | ||
| FB4, FB5, FB6, FB7, FB8, FB9, FB10 | BLM18EG601SN1D | Murata | 7 | 350 | 700 | ||
| FB11 | FBMH1608HM101-T | Taiyo | 1 | 50 | 100 | ||
| L1 | SPM5030T-4R7M-HZ | Vishay | 1 | 50 | 100 | ||
| L2 | LQM2HPN2R2MGSL | Murata | 1 | 50 | 100 | ||
| MP1, MP2, MP3, MP4 | 9774020633R | NOI | 4 | 400 | |||
| MP5, MP6, MP7, MP8 | 9774050243R | NOI | 4 | 400 | |||
| R1, R3, R26, R126 | 0402-100 Ω+-1 % | 4 | 200 | 400 | |||
| R2, R4, R5, R6, R12, R13, R15, R46, R105, R146, R151, R153, R161, R168, R177, R178, R185, R186, R187, R188, R189, R190, R191, R192, R196, R197, R198, R199, R202, R205, R214, R215, R216, R217, R218, R219, R220, R221, R222, R223, R224 | 0402-0 Ω+-5 % | 41 | 2050 | 4100 | |||
| R7 | 0402-12 Ω+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R8, R16, R38, R50, R61, R70, R71, R109 | 0402-1 kΩ+-1 % | 8 | 400 | 800 | |||
| R9 | 0603-1 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R10, R179, R180, R181 | 0603-1,5 kΩ+-1 % | 4 | 200 | 400 | |||
| R17, R36, R37, R47, R58, R62, R66, R72, R73, R83, R111, R112, R204, R227 | 0402-10 kΩ+-1 % | 14 | 700 | 1400 | |||
| R22, R24, R48, R85, R86, R88, R99, R106, R107, R121, R122, R125, R127, R128, R129, R130, R131 | 0402-100 kΩ+-1 % | 17 | 850 | 1700 | |||
| R25, R59, R90, R108, R123 | 0402-20 kΩ+-1% | 5 | 250 | 500 | |||
| R27, R28, R30, R31, R32, R33, R34, R35 | 0402-590 Ω+-1 % | 8 | 400 | 800 | |||
| R29 | 0402-27 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R39, R40 | 0402-1,8 kΩ+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R41, R42, R43 | 0402-47 kΩ+-1 % | 3 | 450 | 300 | |||
| R44 | 0402-1,2 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R45 | 0603-120 Ω+-5 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R49 | 0402-8,2 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R52, R94, R95, R113, R120 | 0603-0 Ω+-5 % | 5 | 250 | 500 | |||
| R56, R57 | 0603-5,1 kΩ+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R60, R63, R64, R65 | 0402-2,2 Ω+-1 % | 4 | 200 | 400 | |||
| R67, R82, R91, R124 | 0402-2,2 kΩ+-1% | 4 | 200 | 400 | |||
| R68, R69, R76, R77, R78, R79, R80, R81, R92, R93, R132 | 0402-100 kΩ+-5 % | 11 | 550 | 1100 | |||
| R74, R75, R84, R133, R138, R139, R140, R141, R149, R150, R167, R172, R174, R176, R183, R184, R193, R194, R195, R229, R230 | 0402-4,7 kΩ+-1 % | 21 | 1050 | 2100 | |||
| R87 | 0402-31,6 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R89 | 0402-120 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R96 | 0402-4,3 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R97 | 0402-75 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R98 | 0402-51 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R100, R102 | 0402-39 kΩ+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R101 | 0402-15 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R103 | 0402-30 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R110 | 0402-330 Ω+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R115, R116 | 0603-1,8 kΩ+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R119, R147 | 0402-75 Ω+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R135, R136 | 0402-0 Ω+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R148 | 0402-10 Ω+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R152 | 0402-22 Ω+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R154 | 0402-1 MΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R160 | 0402-4,02 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R169, R170 | 0805-0,033 Ω+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R182 | 0402-1 kΩ+-5 % | 1 | 150 | 100 | |||
| SB1, SB2 | B3U-3000P | Omron | 2 | 200 | |||
| VD1, VD17 | ESD5Z2.5T1G | ON Semiconduttore | 2 | 200 | |||
| VD2 | SMBJ40CA-TR | STMicroelettronica | 1 | 100 | |||
| VD3, VD10, VD19 | GNL-0603GC | G-nor | 3 | 300 | |||
| VD4, VD18 | GNL-0603EC | G-nor | 2 | 200 | |||
| VD5, VD8 | MBR0540 | HotTech | 2 | 200 | |||
| VD6, VD7, VD12, VD13 | ESD73034D | Pubblico tecnologico | 4 | 400 | |||
| VD9 | SMF05C.TCT | Semtech | 1 | 100 | |||
| VD14, VD16, VD21 | PRTR5V0U2AX,215 | Nexperia | 3 | 300 | |||
| VD20 | GNL-0603UYOC | G-nor | 1 | 100 | |||
| VT1, VT3, VT4, VT5, VT7 | 2N7002DW | HotTech | 5 | 500 | |||
| VT2, VT6 | WNM6002-3/TR | Willsemi | 2 | 200 | |||
| VT8, VT9 | WMQ30N06TS | Wayon | 2 | ||||
| VT10 | IRLML2502 | UMW | 1 | 100 | |||
| XP1, XP2, XP3, XP4, XP7, XP12, XP13, XP14, XP15 | SM03B-SRSS-TB | JST | 9 | 900 | |||
| XP5, XP11 | SM04B-SRSS-TB | JST | 2 | 200 | |||
| XP6, XP10 | SM05B-SRSS-TB | JST | 2 | 200 | |||
| XP8, XP9 | SM06B-SRSS-TB | JST | 2 | 200 | |||
| XS2, XS3, XS4, XS5 | AXK5F80547YG | Panasonic | 4 | 400 | |||
| XS6 | 10118241-001RLF | Amfenolo | 1 | 100 | |||
| XS8, XS9 | 1054500101 | Molex | 2 | 200 | |||
| XS11 | 1759503-1 | Connettività TE | 1 | 100 | |||
| XS12 | 5034802400 | Molex | 1 | 100 | |||
| XS13 | 245804030000829+ | Kyocera AVX | 1 | 100 | |||
| ZQ1, ZQ2 | X322527MOB4SI | YXC | 2 | 200 |
Classificazione per materiale ceramico
Questo è il metodo di classificazione più fondamentale, poiché materiali diversi determinano le caratteristiche prestazionali chiave del substrato.
Substrati di allumina (Al₂O₃).
Attualmente il materiale di substrato ceramico più utilizzato nell'industria elettronica. Offrono eccellenti prestazioni complessive, elevata resistenza meccanica, buona stabilità chimica, abbondanti materie prime e costi relativamente bassi. Sono ampiamente applicati nella microelettronica, nell'elettronica di potenza e nella microelettronica ibrida.
Substrati di nitruro di alluminio (AlN).
Caratterizzati da una conduttività termica estremamente elevata (tipicamente maggiore o uguale a 170 W/(m·K)) e da un coefficiente di espansione termica ben adattato ai chip di silicio, che li rendono la scelta ideale per applicazioni di gestione termica ad alte-prestazioni. Tuttavia, richiedono una purezza del materiale molto elevata e un rigoroso controllo del processo.
Substrati di nitruro di silicio (Si₃N₄).
Sebbene menzionati senza una spiegazione dettagliata nel materiale originale, sono generalmente noti per la loro eccellente resistenza meccanica e agli shock termici, che li rendono adatti per applicazioni con requisiti di elevata affidabilità.
Substrati di ossido di berillio (BeO).
Possiedono una conduttività termica addirittura superiore a quella dell'alluminio metallico, ma la loro applicazione è strettamente limitata a causa della tossicità del materiale.
Classificazione per processo di produzione
Diversi processi di produzione determinano la struttura, le prestazioni e il costo del substrato e sono fattori chiave per distinguere i tipi di prodotto.
HTCC (ceramica cotta ad alta-temperatura-)
Sinterizzato a temperature elevate di 1300–1600 gradi, utilizzando metalli ad alto-punto di fusione-come tungsteno e molibdeno come conduttori. Il processo è maturo, ma il costo è relativamente elevato e la conduttività elettrica degli strati metallici è relativamente scarsa.
01
LTCC (ceramica co-a bassa temperatura-cotta)
Sinterizzato a 850–900 gradi, consentendo l'uso di metalli con una migliore conduttività elettrica come argento, oro e rame. Può realizzare strutture multistrato complesse ed è adatto per moduli ad alta-frequenza e altamente integrati.
02
DBC (rame legato direttamente)
La lamina di rame è direttamente legata al substrato ceramico attraverso un processo eutettico ad alta-temperatura. Presenta una bassa resistenza termica, un'elevata capacità di trasporto di corrente-e un'elevata affidabilità, che lo rendono uno dei substrati ceramici più diffusi oggigiorno per i dispositivi ad alta-potenza.
03
DPC (rame placcato diretto)
Utilizza la tecnologia di processo a film sottile-per galvanizzare direttamente il rame sulla superficie del substrato ceramico per formare schemi di circuiti. Consente alta precisione e larghezze di linea sottili e si è sviluppata rapidamente negli ultimi anni, diventando una tecnologia ampiamente applicata.
04
LAM (metallizzazione attivata dal laser)
Utilizza la tecnologia laser per formare sottili circuiti metallici sulla superficie ceramica, rendendolo adatto per dispositivi miniaturizzati e ad alta-precisione.
05
Il PCB con base in ceramica ha le seguenti caratteristiche principali:
Caratteristica
Alta conduttività termica
I substrati ceramici hanno una conduttività termica relativamente elevata. Ad esempio, la conduttività termica di un substrato ceramico di allumina è 25–35 W/(m·K), mentre quella di un substrato ceramico di nitruro di alluminio può raggiungere 170–230 W/(m·K). Questa elevata conduttività termica conferisce ai substrati ceramici eccellenti prestazioni di dissipazione del calore, rendendoli particolarmente adatti per dispositivi elettronici ad alta-potenza.
Elevata resistenza meccanica e stabilità
I substrati ceramici hanno elevata resistenza e durezza e possono mantenere la stabilità in ambienti difficili. Il loro coefficiente di dilatazione termica è vicino a quello del silicio, il che semplifica il processo di produzione dei moduli di potenza. Inoltre, i substrati ceramici funzionano bene in caso di forti sbalzi di temperatura e dimostrano prestazioni affidabili di cicli termici, con conteggi di cicli che arrivano fino a 50.000.
Eccellenti prestazioni di isolamento
I substrati ceramici presentano eccellenti prestazioni di isolamento e sono adatti per applicazioni che richiedono un'elevata rigidità dielettrica. Hanno una costante dielettrica bassa e buone caratteristiche ad alta-frequenza, che li rendono adatti per circuiti ad alta-frequenza.
Eccellente stabilità chimica
I substrati ceramici mostrano un'eccezionale stabilità chimica e possono mantenere prestazioni superiori in ambienti ossidativi o corrosivi ad alta-temperatura. Non sono facilmente corrosi.
Struttura
La struttura di base di un substrato ceramico è tipicamente costituita da un materiale di base ceramico, uno strato metallico e uno strato adesivo. Nello specifico, un substrato ceramico si riferisce a un pannello appositamente lavorato in cui un foglio di rame è direttamente legato alla superficie di un substrato ceramico di allumina (Al₂O₃) o nitruro di alluminio (AlN) ad alte temperature. Questo substrato composito ultra-presenta un eccellente isolamento elettrico, un'elevata conduttività termica, una saldabilità superiore e una forte adesione. Inoltre, può essere inciso in vari modelli come un PCB convenzionale e offre un'elevata capacità di trasporto di corrente-.
Strutture dettagliate di diversi tipi di substrati ceramici
Ceramica co-cotta ad alta temperatura (HTCC)
Il costo di produzione di questo tipo di substrato è relativamente elevato e la sua conducibilità termica varia generalmente da 20 a 200 W/(m·K), a seconda della composizione e della purezza della polvere ceramica.
01
Ceramica co-a bassa-temperatura (LTCC)
I materiali di vetro a basso-fusione-vetro vengono aggiunti alla polvere di allumina, consentendo l'uso di metalli altamente conduttivi come oro e argento come materiali per elettrodi e cablaggi.
02
Substrato ceramico spesso-stampato su pellicola (TPC)
Questo tipo di substrato viene fabbricato utilizzando un processo di serigrafia-e presenta una semplice procedura di produzione. È adatto per il confezionamento di dispositivi elettronici con bassi requisiti di precisione del circuito, come i moduli elettronici automobilistici.
03
Substrato ceramico in rame legato direttamente (DBC).
In condizioni di temperatura elevata-, il foglio di rame e il substrato ceramico sono saldamente legati attraverso un processo di legame eutettico, che si traduce in un'elevata forza di legame e un'eccellente conduttività termica. È ampiamente utilizzato per la dissipazione del calore in dispositivi quali transistor bipolari a gate isolato (IGBT) e componenti laser.
04
Substrato ceramico per brasatura attiva dei metalli (AMB).
Questo tipo di substrato consente di ottenere il legame tra il substrato ceramico e la lamina di rame tramite una lega per saldatura contenente elementi attivi o terre rare-. Offre elevata forza di adesione e affidabilità ed è adatto per applicazioni di imballaggio ad alta-densità.
05
Applicazione
1. Nel campo dell'elettronica, i substrati ceramici sono supporti ideali per componenti elettronici come circuiti integrati, moduli di potenza e dispositivi RF. Con elevata resistenza, elevata durezza, elevata resistenza all'usura, eccellenti prestazioni di isolamento e stabilità termica, garantiscono un funzionamento stabile e un'efficiente trasmissione del segnale nelle apparecchiature elettroniche. Le applicazioni dei substrati ceramici includono, a titolo esemplificativo, moduli semiconduttori ad alta-potenza, circuiti di controllo dell'alimentazione, alimentatori a commutazione ad alta-frequenza, relè a stato solido-, elettronica automobilistica, componenti elettronici aerospaziali e militari e gruppi di pannelli solari.
2. Nel campo delle comunicazioni, i substrati ceramici possono essere fabbricati in componenti quali filtri a microonde, antenne, divisori di potenza, accoppiatori e isolatori. Questi componenti svolgono un ruolo cruciale nei sistemi di comunicazione, offrendo un'eccellente resistenza meccanica e conduttività termica.
3. Nel campo dell'ottica, i substrati ceramici vengono utilizzati come basi per i laser, fornendo una buona conduttività termica e resistenza meccanica. Vengono inoltre utilizzati per produrre vari componenti per le comunicazioni in fibra-ottica, come multiplexer a divisione di lunghezza d'onda e controller di polarizzazione.
4. In campo medico, i substrati ceramici sono ampiamente utilizzati nei-dispositivi medici di fascia alta, inclusi sensori biomedici e organi artificiali, grazie alla loro eccellente biocompatibilità e stabilità chimica. Ad esempio, i substrati ceramici possono essere utilizzati per produrre articolazioni artificiali e materiali per restauri dentali, offrendo buona biocompatibilità e proprietà estetiche.
5. Nel campo aerospaziale, i substrati ceramici vengono utilizzati per produrre componenti di motori, rivestimenti di barriere termiche, rivestimenti di camere di combustione e parti di veicoli spaziali. Grazie all'elevata robustezza, resistenza alle radiazioni e alle alte-temperature, forniscono un supporto affidabile in ambienti estremi, garantendo un funzionamento stabile del sistema in condizioni di alta-velocità, alta-temperatura e alte-radiazioni.
6. I prodotti con substrato ceramico della nostra azienda includono PCB ceramici multistrato e antenne PCB 5G.
Prodotto personalizzato
La maggior parte dei nostri prodotti sono personalizzati in base ai file Gerber originali forniti dai nostri clienti.
Dopo aver ricevuto i file Gerber originali, li convertiamo in file Gerber funzionanti per uso produttivo.
Durante questo processo di conversione, regoliamo alcuni parametri-come diametro del foro, larghezza e spaziatura delle tracce-per ottimizzare la producibilità e garantire una produzione regolare.
Confezione e garanzia
Tutti i nostri prodotti sono confezionati sottovuoto-con essiccante per garantire una protezione ottimale durante lo stoccaggio e il trasporto.
La durata di conservazione dei circuiti stampati-confezionati sotto vuoto varia a seconda del processo di trattamento della superficie, in genere da 3 a 12 mesi. I dettagli sono i seguenti:
Durata di conservazione per diversi processi di trattamento superficiale
ENIG (Oro ad immersione in nichel elettrolitico)
Può essere conservato fino a 12 mesi in confezione sottovuoto con protezione essiccante.
HASL (livellamento per saldatura ad aria calda) senza piombo-
Quando non vengono apportate modifiche speciali alla conservazione, la durata di conservazione è in genere di circa 3 mesi.
OSP (conservante organico di saldabilità)
Ha una durata di conservazione di 3-6 mesi in confezione sottovuoto con protezione essiccante. Tuttavia, se conservato in modo improprio (ad esempio, senza essiccante o con tenuta sottovuoto insufficiente), la durata di conservazione potrebbe ridursi a circa 3 mesi.
Oro per immersione (placcatura in oro chimico)
La durata di conservazione può raggiungere i 6-12 mesi, a condizione che vengano utilizzati imballaggi sigillati ed essiccante.
Vantaggio aziendale
1. Garantiamo una risposta entro 24 ore a tutte le richieste e ai reclami dei clienti.
2. La nostra fabbrica offre una produzione di campioni in 1-giorno per schede a 2 strati e fornisce servizi di produzione rapida per ordini piccoli e medi, garantendo tempi di consegna brevi e consegne puntuali.
3. Supportiamo più opzioni di pagamento, inclusi EUR, USD, RUB e CNY, tramite PayPal, T/T e altri metodi convenienti.
Etichetta sexy: PCB con base in ceramica, produttori cinesi di PCB con base in ceramica, fornitori

